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2015-9

半導體電阻率測試儀是為了適應當前迅速發展中的高分子半導電納米材料電阻率測試需要，參照有關標準設計的。半導體電阻率測試儀是根據四探針原理，適合半導體器材廠，材料廠用于測量半導體材料(片狀、棒狀)的體電阻率，方塊電阻(簿層電阻)，也可以用作測量金屬薄層電阻，經過對用戶、半導體廠測試的調查，根據美國ASTM標準的規定，在電路和探頭方面作了重大的修改和技術上的許多突破，它更適合于半導體器材廠工藝檢測方面對中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測量需要，成為普及型的電阻率測試儀，具有...

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2015-8

接觸壓降測試儀功能強大

接觸壓降測試儀專業用于測試各種開關、繼電器、接觸器、接線座、接線連接器等接觸點兩端間的實際工作電壓降。接觸壓降測試儀是科研單位、計量測試部門、生產企業等單位的*儀器。接觸壓降測試儀的主要功能：1.通過無線的方式自動完成三相三線或三相四線制的電壓互感器二次壓降的測量，不需要普通方式中要在儀器到測試遠端鋪設一條很長的電壓測試線，這樣可避免由于線路過長引起的不必要的短路故障，而這正是電壓互感器zui應避免的;而且有時這條電壓測試線需要穿越公路，如無人看守來往車輛會將線軋壞，本儀器有...

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2015-8

什么是粉體流動測試儀?

顆粒狀物料是由尺寸大小從亞微顆粒至大石塊和礦石的各類固體物質組成。在粉體測試中，至少90%的樣品須由直徑小于1mm的顆粒組成。很多實例中，更大顆粒的粉體仍舊可以通過篩選1mm的物料并測試這些纖細部分而獲得有效分析。（纖細物料決定了包含有大尺寸顆粒物料的整體流動特性）Brookfield用來命名這類物料的專業術語稱為“粉體”，因此儀器及命名為“粉體流動測試儀”。粉體流動測試儀性能特點PFT粉體流動測試儀為工業處理設備中的粉體流動行為提供了快捷而容易的分析。PFT粉體流動測試儀不...

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2015-8

體積電阻測試儀原理及安全操作準則

體積電阻測試儀工作原理：根據歐姆定律，被測電阻Rx等于施加電壓V除以通過的電流I。傳統的高阻計的工作原理是測量電壓V固定，通過測量流過取樣電阻的電流I來得到電阻值。從歐姆定律可以看出，由于電流I是與電阻成反比，而不是成正比，所以電阻的顯示值是非線性的，即電阻無窮大時，電流為零，即表頭的零位處是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低整個刻度是非線性的。又由于測量不同的電阻時，其電壓V也會有些變化，所以普通的高阻計是精度差、分辨率低。體積電阻測試儀高阻測量一定要嚴格按使用步聚進行，否...

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2015-7

粉體綜合測試儀的標準測量指標

粉體綜合測試儀主要應用于制藥、電池材料、粉末涂料、非金屬礦、石墨、食品、有色金屬、粉體工程設計、粉體物性研究以及教學等領域。粉體綜合測試儀的特點是一機多用，操作簡便，重復性好，測定條件容易改變，配套完整等。粉體物性是粉體材料的基本特性，研究粉體物性對粉體生產、加工、包裝、運輸、儲存、應用等具有重要的實際意義。粉體綜合測試儀是用來測定粉體物性的儀器，具體測試項目包括休止角、崩潰角、平板角、振實密度、松裝密度、分散度等。粉體綜合測試儀的標準測量項目：1.休止角：粉體堆積層的自由表...

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2015-7

四探針電阻率測試儀的檢定要求和環境

電阻率是反映半導體材料導電性能的重要參數之一。測量電阻率的方法很多，四探針法是一種廣泛采用的標準方法。它的優點是設備簡單、操作方便，度高，對樣品的形狀無嚴格要求。電阻率測試儀是用來測量半導體材料及工藝硅片的電阻率，或擴散層及外延層方塊電阻的測量儀器。一般的四探針電阻率測試儀均已配置厚度的修正，通過厚度數值的設置，計算出不同的樣品厚度對電阻率的影響。四探針電阻率測試儀檢定的技術要求1、整體方法檢定電阻率測試儀的標準樣片，表面應沒有任何臟物，長期使用應注意定期清洗(按標準樣片使用...

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2015-7

四探針測試儀簡介

四探針測試儀-概述：數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數據既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數據到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統計分析顯示測試結果。四探針測試儀-特點：儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬...

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2015-7

表面電阻率測試儀的影響因素

表面電阻率測試儀的影響因素主要有測試電壓，測試時間，環境溫濕度和外界干擾這些，下面一一來看下具體的影響在哪里。1.測試電壓(電場強度)對表面電阻率測試儀的影響?介質材料的電阻(率)值一般不能在很寬的電壓范圍內保持不變，即歐姆定律對此并不適用。常溫條件下，在較低的電壓范圍內，電導電流隨外加電壓的增加而線性增加，材料的電阻值保持不變。超過一定電壓后，由于離子化運動加劇，電導電流的增加遠比測試電壓增加的快，材料呈現的電阻值迅速降低。由此可見，外加測試電壓越高，材料的電阻值越低，以致...